优炜芯紫外LED产业基地项目一期主楼封顶仪式激流 宏图湖北举行。优炜芯UVLED消息显示，优炜芯紫外LED产业基地项目，一期总投资5亿元，占地50亩，建筑面积47000平方米，主要进行紫外LED产业芯片、紫外 LED器件封装及紫外LED模组建设。项目建成达产后，可实现芯片线年产能10万片、器件封装年产225KK、固化模组年产60KK。优炜芯董事长陈长清表示，未来，优炜芯将继续加大技术研发投入，致力于成为最好的第三代半导体芯片以及应用解决方案供应商企业。

武汉优炜芯科技有限公司成立于2015年，是一家专业的紫外LED芯片、器件、模组、光源系统及应用方案供应商，可提供高性能近紫外LED固化光源系统与装备、高质量深紫外LED芯片/灯珠/模组与服务。

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