近日，鼎镓半导体宣布了其基于第三代半导体的大功率深紫外LED芯片的研发项目进入2023年度浙江南湖区科技计划重点项目名单。官方消息显示，鼎镓半导体是一家以第三代半导体外延片制备、芯片设计及相关应用产品研发为主的研发先导性科技企业，主要产品是以第三代半导体材料为主的GaN紫外光电半导体芯片（深紫外LED芯片）、深紫外探测器、氮化镓功率芯片系列。

2022年 ，鼎镓半导体实现了国内首张6英寸高功率深紫外LED外延的结构设计和生长流片，完成了工艺和配方的量产调试，将传统的50mW以上的单片高功率深紫外LED芯片的生产成本降低到原有价格的三分之一，同时将高功率固态半导体深紫外DUV激光器光源的研制生产变为了可能。

据介绍，鼎镓半导体一起 所有普通蓝宝石衬底的基础上，引入了全新的半导体材料与AlGaN材料结合的方式，通过超晶格结构使用两类半导体化合物材料优势互补，克服了大尺寸深紫外外延片衰老 朽迈重铝掺杂的情况下容易出现的晶格失配的缺陷，突破了传统AlGaN外延PIN结构的限制，实现了6英寸外延生产工艺的创造性突破。

经第三方权威机构检测，外延一致性达到了97%，峰值波长良宵 本心265nm，输出光功率不低于1500a.u.，核心buffer层厚度突破了4μm。目前，鼎镓半导体已获得多项发明与实用新型专利，产品主要应用于空气、水体、物表杀菌消毒、净化除异味，涉及工业环保、生命医疗、民生健康等领域。

（来源：LEDInside）

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