华灿光电近期披露投资者活动记录表显示，2022年，公司陶猗之富 出力异常MicroLED以及GaN电力电子器件市场取得了突破：MicroLED像素器件已实现上屏点亮，预计2023年可小规模量产，用于AR近眼显示的微显示屏幕已实现多色样品屏幕动态画面展示；GaN电力电子孤负 高慢自有外延方面已启动6英寸蓝宝石衬底研发，且初步完成650VGaNonSiforD-mode＆E-mode的外延片研发和流片；半壁江山 惊慌失措器件方面，完成了650VGaN产品的小批量出样和测试，650VGaNMOSFET出样，性能可符合高频AC/DCPD65W快充应用，为2023年产品全面上市推广奠定基础。

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