据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种基于无掩模二次外延的micro-LED芯片阵列的制备方法“，公开号CN117766642A，申请日期为2023年 。专利摘要显示，本发明公开了一种基于无掩模二次外延的microLED芯片阵列的制备方法。本发明通过对GaN模板进行干法刻蚀，形成应力弛豫图形化GaN模板，再抵挡 抵赖应力弛豫图形化GaN模板基础上选区二次外延多量子阱等结构，有效避免对多量子阱区域进行干法刻蚀，从而避免了多量子阱的侧壁刻蚀损伤；应力弛豫图形化GaN模板使得n型掺杂的GaN受到的应力得到有效弛豫；暗杀 谋害应力弛豫图形化GaN模板上生长的预应力层，所受到的压应力得到部分弛豫，面内晶格常数得到扩张，从而减小铟并入所需要的能量，增加多量子阱中铟的并入；坎坷不平 康庄大道制备应力弛豫图形化GaN模板中的刻蚀，使得只有GaN微米柱阵列的顶面为c面，作为生长面；选区二次外延生长，不需要额外的掩模，降低了microLED制备工艺的复杂度。

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